OMRON歐姆龍纖薄型安全繼電器技術(shù)資料
型號列表
A-20GQ22-B
A22-TA
A22L-GG
A22-CB
A22L-CW
A22-MG
SPOC-17H-FRON169
SGMBH-2BDCA61
A7CN-106-1
A3CJ-500G
LY2N-D2 24DC
MY4H 110/120AC
MY2N 12DC(S)
MY2IN 12AC(S)
MY2IN 220/240AC (S)
MY3-02 220/240AC
PYC-E1 (A PAIR)
G3NA-225B DC5-24 (Q2)
G2R-1-SNI 24AC(S)
3G8E2-DRM21-EV1
DCA1-5CN01W1-R
CJ1W-MD232
D4C-1260
D4C-1320
D4C-6320
VB-4121
WL-9H200
C200H-IM212 CHN
E3C-LDA6
J7KNA-AR-40 110D
XW2Z-100J-A27
CJ1W-MD263
CS1W-BC103 CHN
J7KNA-AR-22 48VS
E6C3-AG5B 360P/R 2M
D4F-302-1R
D4F-220-1D
D4F-120-3D
D4F-202-5R
3G3RV-PFI2035-E

OMRON歐姆龍纖薄型安全繼電器技術(shù)資料
產(chǎn)品特點
新增Push-In Plus端子臺插座系列，與以往的螺釘端子相比，
更節(jié)省配線工時（與以往的螺釘端子相比，可縮短配線工時約60%*）
帶導(dǎo)向接點繼電器（獲得EN 50205/Class A VDE）
備份機(jī)械CE標(biāo)記（機(jī)械指令）
構(gòu)成互鎖回路，可回避機(jī)械的危險狀態(tài)
備有4、6產(chǎn)品
便于繪制PWB圖形的端子配置
輸入輸出間加強(qiáng)緣，異間也有部分加強(qiáng)緣

技術(shù)資料
額定負(fù)載    AC250V 6A 
DC30V 6A
額定通電電流    6A
接觸電阻 *1    100mΩ以下
動作時間 *2    20ms以下
響應(yīng)時間 *3    10ms以下
復(fù)位時間 *2    20ms以下
動作電壓    相對額定電壓75%以下
復(fù)位電壓    相對額定電壓10%以上
zui大開關(guān) 
6：約25g
接點電壓zui大值    AC250V、DC125V
接點電流的zui大值    6A
接點材質(zhì)    鍍金+銀合金
頻率    機(jī)械    36,000次/h
額定負(fù)載    1,800次/h
緣電阻*4    1,000MΩ以上
耐電壓 *5 *6    線圈和接點間    AC4,000V 50/60Hz 1min
異接點間    AC4,000V 50/60Hz 1min(以下組合除外) 
4：3-4間 
6：3-5間、4-6間、5-6間 
AC2,500V 50/60Hz 1min
同接點間    AC1,500V 50/60Hz 1min
振動    10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊    耐久    1,000m/s2
誤動作    100m/s2
耐久性*7    機(jī)械    1,000萬次以上(開關(guān)頻率36,000次/h)
電氣    10萬次以上(額定負(fù)載、開關(guān)頻率1,800次/h)
感性負(fù)載開關(guān)*8 
(IEC60947-5-1)    AC15 AC240V 2A 
DC13 DC24V 1A
故障率 P水準(zhǔn)(參考值 *9)    DC5V 1mA
使用環(huán)境溫度 *10    DC12～48V規(guī)格：-40～+85℃(無結(jié)冰、無結(jié)露) 
DC110V規(guī)格： -40～+60℃ (無結(jié)冰、無結(jié)露)
使用環(huán)境濕度    5～85%RH
重量    4：約22g 
使用環(huán)境溫度    • 有動作指示燈/內(nèi)置二管 
P7SA-□F-ND (-PU)： -20～+70℃ 
• 螺釘緊固端子(無動作指示燈/內(nèi)置二管) 
P7SA-□F： -40～+85℃ 
(無結(jié)冰、無結(jié)露)    -40～+85℃ 
(無結(jié)冰、無結(jié)露)
使用環(huán)境濕度    25～85% RH    5～85% RH
連續(xù)通電電流    6A *１
耐電壓    線圈接點端子間    AC4,000V 1min    AC2,500V 1min
異接點端子間    AC2,500V 1min
同接點端子間    AC1,500V 1min
緣電阻    1,000MΩ以上 *2