供應fairchild仙童光電產(chǎn)品

Fairchild是設計和光電器件的企業(yè)。 我們提供用于低帶寬/通用開關(guān)應用的光電耦合器、用于高帶寬/高增益應用的高光電耦合器、高壓光電耦合器、紅外元器件以及具有*功能的其他定制產(chǎn)品。

我們廣泛的光電器件和光耦合器器件系列提供了多種輸入和輸出配置，可以降低功耗并為您的設計提供的抗噪能力。

為什么選擇飛兆的光電器件
憑借Fairchild專有的共面封裝技術(shù)Optoplanar®，我們的高光耦合器可提供的抗噪能力。

憑借高速的速度傳輸速率，這些高電耦合器特別適合 
高速數(shù)據(jù)通信應用。
我們所有的光電產(chǎn)品均不含鉛(Pb)，并且符合RoHS標準。
此外，我們的產(chǎn)品還通過了主要安全監(jiān)管機構(gòu)的。
采用3.3V和5V的電源電壓。
帶寬能力zui高可達15Mbit/s。
達到或超過安全監(jiān)管標準。
高隔離電壓，zui高可達5kV。
此外，為了滿足當今設計日益增長的需求，飛兆半導體提供可承受工作溫度高達+125
°C的光耦合器。 我們的4引腳整間距MFP和4引腳DIP、光電晶體管輸出光耦合器均具有
+110°C的額定zui高操作溫度。
有源米勒鉗位技術(shù) Active Miller Clamp Technology
在IGBT的驅(qū)動設計中，特別是對中小功率的IGBT驅(qū)
動，工程師們更傾向于簡單的板布局和簡單的解
決方案，于是去掉驅(qū)動負電源成了很有吸引力的解
決方案，但是同時這個方案也帶來了定的問題。
如圖1所示的驅(qū)動，上橋和下橋的IGBT都使用
單電源供電。如圖2黑色波形所示，正常情況下，
兩個IGBT不會同時導通，柵電壓不會同時為高。
但是由于dv/dt的存在，IGBT關(guān)閉之后柵會出現(xiàn)
毛刺電壓,如圖2紅色波形所示。如圖3所示，讓我
們以Q2為例做更詳細的說明。Q2關(guān)閉之后，Q1開啟
，Q2的CE電壓將會升高，由于dv/dt很高，電流通
過Q2的Cgc流過限流電阻Rg和驅(qū)動的輸出阻抗，這
個電流我們稱為米勒電流。米勒電流的大小可以通
過如下公式(1)計算。
如果對速度的要求很高，dv/dt也會隨之增大
，那么米勒電流造成VGE2就會升高到Q2的閾值電壓
，造成Q1和Q2同時導通，這對于Q1和Q2都是非常危
險的，當然也會造成功耗的浪費。

 供應fairchild仙童光電產(chǎn)品